Аннотация: Наибольшие успехи ионной имплантации были достигнуты в области планарной технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Большое развитие получили технологии создания приборов с элементами наночастиц, в том числе, активной областью которых являются металлические наночастицы в диэлектрической матрице.
Целью работы является моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния и расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы, а также распределения ионов, отраженных от наночастицы. Условия имплантации изменяются в зависимости от положения проекции точки на поверхности структуры на горизонтальный радиус наночастицы от центра до периферии. Составлена физическая модель процесса ионной имплантации наночастицы золота, находящейся в матрице диоксида кремния. Проведено моделирование процесса ионного легирования структуры ионами бора и мышьяка для различных сечений и получены графики распределения легирующих ионов, атомов отдачи, отраженных и распыленных ионов в зависимости от координаты от центра наночастицы.

Abstract: The greatest success of ion implantation has been achieved in the field of planar technology of semiconductor devices and integrated circuits. The development of devices with elements of nanoparticles, including the active region of which are metal nanoparticles in a dielectric matrix, has been greatly developed. The aim of the work is to simulate the process of ion implantation of a structure consisting of gold nanoparticles in a silicon dioxide matrix and calculations of the distribution of doping ions, cascades of displaced matrix ions and nanoparticles, as well as the distribution of ions reflected from the nanoparticles. The implantation conditions vary depending on the position of the projection of a point on the surface of the structure on the horizontal radius of the nanoparticle from the center to the periphery. A physical model of the process of ion implantation of gold nanoparticles located in a silicon dioxide matrix has been compiled. The process of ionic doping of the structure with boron and arsenic ions was simulated for different cross sections, and graphs of the distribution of doping ions, recoil atoms, reflected and sputtered ions were obtained depending on the coordinate from the center of the nanoparticle.